半導體晶圓的製造及步驟

半導體晶圓的製造有以下步驟:

長晶棒分為直拉法(CZ)和（hé）區熔法(FZ)。由（yóu）於熔融多晶材（cái）料會直接（jiē）接觸應時坩堝，應（yīng）時（shí）坩（gān）堝中的雜質會（huì）汙染熔融多晶。直（zhí）拉法單晶碳氧含量高，雜質缺陷多（duō），但成本低，適合拉伸大（dà）直徑(300mm)的矽片，是目前主（zhǔ）要的半導體矽片材料。區域（yù）熔融法拉製的單（dān）晶，由於多（duō）晶原料不與石英坩堝接觸，內部缺陷少，碳（tàn）氧含量低，但價格昂貴，成本高，適用於大功率設備及某些高端（duān）產品。

半導體設備耗材

2)切片。拉出的單晶矽棒（bàng）需要去除頭部和尾部材料，然後滾磨成（chéng）所需的直徑，切成平邊或V槽，然後切成薄（báo）矽片。現采用金（jīn）剛線切割技術，效率高，矽片翹曲度（dù）高，彎曲度好。一些特殊的異形片會用內圓切割。

3)研磨：切片後需要通過研磨除去損壞的切麵（miàn）層，保證矽片表麵質量，大概去（qù）除50um左右。

4)腐蝕：腐蝕是為了（le）進一步除去因切割（gē）和（hé）研磨引起的破壞層，為下一步的拋光工藝作準備。腐蝕通常有鹼腐蝕和酸腐蝕，目前由於環保（bǎo）因素，大多數都采用鹼腐（fǔ）蝕。腐蝕性（xìng）去除量可達30-40um，表麵粗糙度也可達微米級（jí）。

5)拋光：拋光是矽片生產的一種重要工藝，拋光是通過CMP(ChemicalMechanicalPolished)技術來進一步改善（shàn）矽片的表麵質量，使之達到通常Ra<5A的生產要求。

6)清洗包裝（zhuāng）：由於集成電路的（de）線寬越來越小（xiǎo），所以對提高粒度指（zhǐ）標的（de）要求也越（yuè）來越高，清洗包裝也是矽片生產中的一道重要工藝，通過微波微波清洗，可以洗淨附著在矽片表麵的微粒，達到微晶片（piàn）表麵要求的微粒度指標，從而（ér）使矽片表麵清（qīng）潔度（dù）達到集成電路的要求。

目前（qián）的半導體材料都是單晶矽來製作（zuò），半導體晶圓的（de）純度要求是要達9N以上（99.9999999%），區熔單晶矽Z高可達到11N（99.999999999%）。通常采（cǎi）用直拉法(CZ)和區熔法(FZ)長晶，其晶向由晶種決定（dìng）。半導體的材料主要是單晶矽，占據半導體材料市場的90%以上，是集成電路的基礎（chǔ）材料（liào）。

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